图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:230 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||
#2 |
数量:375 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||
#3 |
数量:267 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| 最大二极管电容 | 300 pF |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 最大功率耗散 | 65 W |
| 正向连续电流 | 10 A |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 峰值反向电压 | 650 V |
| 封装 | Tube |
| 最大浪涌电流 | 58 A |
| 系列 | IDW10G65 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 零件号别名 | SP000937038 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 240 |
| If - Forward Current | 10 A |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Ir - Reverse Current | 2 uA |
| Ifsm - Forward Surge Current | 58 A |
| Vf - Forward Voltage | 1.8 V |
| 技术 | SiC |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 650 V |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 品牌 | Infineon Technologies |
IDW10G65C5FKSA1相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
